特許

J-GLOBAL ID：201103082974460955

半導体ウェーハの製造方法

発明者： グイド・ヴェンスキ ,  ベルント・パッセル
出願人/特許権者： ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 萩野 平 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-145190
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012411
特許番号：特許第3066750号
出願日： 1999年05月25日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 複数のプロセス工程を組み合わせることにより、縞のない研磨前面を有する超平坦な半導体ウェーハの製造方法において、前記方法が、前記半導体ウェーハの前記平坦度を左右する次の一連のプロセス工程:a)結晶から半導体ウェーハを切断する工程;b)研削プロセス工程により前記半導体ウェーハを平坦化する工程;c)プラズマアシストエッチングプロセスを利用することにより表面近くのダメージを受けた結晶領域を取り除く工程;d)プラズマ局所エッチングをする工程;及びe)前記半導体ウェーハに縞のないポリシングをする工程、を有することを特徴とする前記方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/304 611 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 611 Z ,  H01L 21/302 L