単結晶磁性膜の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本亮一 (外1名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-073147
公開番号（公開出願番号）：特開平2-251119
出願日： 1989年03月24日
公開日（公表日）： 1990年10月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】複数枚の基板をホルダー上に設置し、これを融液中に浸漬し基板上に同時に単結晶磁性膜を成長させる液相エピタキシャル法による単結晶磁性膜の製造方法において、該融液中の温度分布を上位の基板への結晶の析出温度が下位の基板への結晶の析出温度より低くなるように制御することを特徴とする単結晶磁性膜の製造方法。

IPC (2件)：