特許
J-GLOBAL ID:201103083093865541
波長可変干渉フィルターの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
上柳 雅誉
, 須澤 修
, 宮坂 一彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-094765
公開番号(公開出願番号):特開2011-227172
出願日: 2010年04月16日
公開日(公表日): 2011年11月10日
要約:
【課題】ギャップが形成される空間の内圧の上昇を抑制し、ギャップの精度を向上させることができる波長可変干渉フィルターの製造方法を提供すること。【解決手段】波長可変干渉フィルターの製造方法は、第一基板100のチップ領域101に、静電ギャップ形成溝111と、静電ギャップ形成溝111からチップ領域101の外周縁に延びる配線形成溝113、114と、これらの配線用形成溝と第一基板100の外部とを連通する空気連通溝120、130と、を形成する第一基板溝形成工程と、前述の各種溝に固定ミラー16、第一電極141、および第一配線部141Aを形成する第一基板配線形成工程と、可動ミラー、第二電極、および第二配線部と、を備えた第二基板を形成する第二基板形成工程と、第一基板100および第二基板を貼り合わせる貼合工程と、を含む。【選択図】図2
請求項(抜粋):
透光性を有する第一基板のチップ領域に、静電ギャップを形成するための静電ギャップ形成溝と、前記静電ギャップ形成溝からチップ領域の外周縁に延びる配線形成溝と、を形成し、前記第一基板の前記チップ領域外に、前記配線形成溝および前記第一基板の外周縁を連通する空気連通溝を形成する第一基板溝形成工程と、
前記静電ギャップ形成溝に第一反射膜および第一電極を形成し、前記第一電極に接続されるとともに前記配線形成溝に沿った第一配線を形成する第一基板配線形成工程と、
前記第一反射膜に対向する第二反射膜、前記第一電極に対向する第二電極、および前記配線形成溝に対向し、前記第二電極に接続される第二配線と、を備えた透光性を有する第二基板を形成する第二基板形成工程と、
前記第一基板および前記第二基板を貼り合わせる貼合工程と、を含む
ことを特徴とする波長可変干渉フィルターの製造方法。
IPC (3件):
G02B 26/00
, G02B 5/28
, B81C 3/00
FI (3件):
G02B26/00
, G02B5/28
, B81C3/00
Fターム (40件):
2G020AA08
, 2G020CA12
, 2G020CC23
, 2G020CC31
, 2G020DA02
, 2G020DA12
, 2H048GA13
, 2H048GA25
, 2H048GA48
, 2H048GA60
, 2H141MA22
, 2H141MB28
, 2H141MC06
, 2H141MD02
, 2H141MD04
, 2H141MD38
, 2H141ME01
, 2H141ME04
, 2H141ME24
, 2H141ME25
, 2H141MF05
, 2H141MG10
, 2H141MZ03
, 2H141MZ16
, 2H141MZ19
, 2H141MZ22
, 2H141MZ28
, 3C081AA01
, 3C081BA04
, 3C081BA28
, 3C081BA30
, 3C081BA45
, 3C081BA48
, 3C081BA53
, 3C081BA72
, 3C081CA13
, 3C081CA28
, 3C081CA32
, 3C081CA42
, 3C081EA08
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