特許
J-GLOBAL ID：201103083120931918
半導体装置の配線及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-203248
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049160
特許番号：特許第3816273号
出願日： 1999年07月16日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板上に設けられている第1絶縁膜内に設けられ、導電物質からなる本体と、
前記第1絶縁膜上に設けられている第2絶縁膜内に設けられ、前記本体の上部に連結され前記本体の幅より狭く形成され、平坦化された上面を有し、導電物質からなる突起部と、
を備えることを特徴とする半導体装置の配線。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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