特許

J-GLOBAL ID：201103083189094252

GaN半導体結晶成長用Siウエーハ、それを用いたGaN発光素子用ウエーハ及びそれらの製造方法

発明者： 中西 秀夫 ,  寺嶋 一高 ,  西村 鈴香
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社 ,  寺嶋 一高 ,  西村 鈴香
代理人 (2件)： 木下 茂 ,  高 雄次郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-164835
公開番号（公開出願番号）：特開2000-351692
特許番号：特許第3748011号
出願日： 1999年06月11日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 CZ法によるSi基板の表面から厚み方向へ少なくとも3μmの間に亘って低酸素濃度で酸素析出物が無く、かつ、表面構造が全面に亘ってダブルステップレーヤとなっており、該Si基板の表面にBP単結晶層が形成されていることを特徴とするGaN半導体結晶成長用Siウエーハ。

IPC (4件)：

C30B 29/06 ( 200 6.01) ,  C30B 29/38 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 33/00 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C30B 29/06 A ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 注射針ユニットの取り外し装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-187953   出願人：株式会社デントロニクス

審査官引用 (1件)

• 注射針ユニットの取り外し装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-187953   出願人：株式会社デントロニクス