特許
J-GLOBAL ID：201103083842441397
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-051294
公開番号（公開出願番号）：特開2002-298589
特許番号：特許第3756067号
出願日： 2001年02月26日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】データを書き込みまたは消去する際に使用され、外部電源電圧よりも高い第1の電圧を発生する第1の昇圧回路と、
データを読み出す際に使用され、外部電源電圧よりも高い第2の電圧を発生する第2の昇圧回路と、
該第1の昇圧回路の出力に接続され、該第1の電圧を制御するレギュレータと、
該レギュレータに入力される基準電圧を発生する基準電圧発生回路とを有する不揮発性半導体記憶装置において、
該基準電圧発生回路の電源と、該第2の昇圧回路の出力とがトランジスタを介して接続され、
データの書き込み動作または消去動作の開始直後に、該トランジスタを導通状態にする手段を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (1件)：
FI (4件)：
G11C 17/00 632 Z
, G11C 17/00 633 D
, G11C 17/00 633 E
, G11C 17/00 634 F
