半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本洋一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-331844
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141515
特許番号：特許第4655350号
出願日： 2000年10月31日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電型半導体基板の一方の主面に形成される高濃度の第1導電型の第1半導体層と、他方の主面に形成される高濃度の第2導電型の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層に挟まれた前記第1導電型半導体基板内に、前記第1半導体層寄りに、該第1半導体層とは離して形成される複数個の高濃度の第1導電型ストッパ層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：