特許
J-GLOBAL ID：201103084060759840
結晶成長装置および結晶成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外7名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-054299
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252213
特許番号：特許第3385228号
出願日： 1999年03月02日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 超高真空に排気可能な成長室と、前記成長室内に配置され、成長基板を保持するための基板ホルダと、前記成長室内に配置され、蒸発源となる板状原料の表面を所定の角度に設定するための角度設定手段を具備した坩堝と、前記成長室内の前記坩堝の近傍に配置された前記坩堝を加熱するための加熱ヒータとを少なくとも備え、前記成長基板の表面と前記板状原料の表面のなす角を22度以内とすることを特徴とする結晶成長装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/203 M
, C30B 23/08 M
