特許

J-GLOBAL ID：201103084105468728

光電変換素子の製造方法

発明者： 栗山 博之 ,  中山 正一郎 ,  能口 繁 ,  佐野 景一 ,  岩多 浩志
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-298330
公開番号（公開出願番号）：特開平3-159179
特許番号：特許第2815934号
出願日： 1989年11月16日
公開日（公表日）： 1991年07月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板の導電性表面に、一導電型の第1の半導体層とi型又は実質的にi型の非晶質半導体層を形成した後、当該非晶質半導体層の露出表面に逆導電型決定不純物を含むドーピングガスの雰囲気中でエネルギビームを照射し、上記非晶質半導体層の露出表面に上記逆導電型決定不純物をドーピングすると共に当該露出表面を多結晶化領域に置換して逆導電型の第2の半導体層とすることを特徴とする光電変換素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L 31/04 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭60-218841