特許

J-GLOBAL ID：201103084299793322

半導体装置及び電子機器

発明者： 山本 恵一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-298365
公開番号（公開出願番号）：特開2011-138950
出願日： 2009年12月28日
公開日（公表日）： 2011年07月14日
要約：

【課題】表面プラズモンを利用した半導体装置において、より高感度化、薄膜化を可能にした半導体装置を提供する。【解決手段】光電変換層2と、光電変換層2内に埋め込まれた連続あるいは不連続の筒状の金属微細構造体3と、金属微細構造体3の内側面及び外側面を被覆する誘電体膜4とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光電変換層と、 前記光電変換層内に埋め込まれた連続あるいは不連続の筒状の金属微細構造体と、 前記金属微細構造体の内側面及び外側面を被覆する誘電体膜と を有する半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/14 ,  G01J 1/02 ,  H01L 27/146 ,  G02B 5/20 ,  H01L 31/04

FI (6件)：

H01L27/14 D ,  G01J1/02 Q ,  H01L27/14 A ,  G02B5/20 101 ,  G01J1/02 R ,  H01L31/04 Z

Fターム (23件)：

2G065AA04 ,  2G065AB04 ,  2G065BA02 ,  2G065BA04 ,  2G065BA10 ,  2G065BA33 ,  2G065BA34 ,  2H048BB02 ,  2H048BB13 ,  2H048BB47 ,  4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA08 ,  4M118GC08 ,  4M118GC14 ,  4M118GD04 ,  5F151AA20 ,  5F151DA20