特許

J-GLOBAL ID：201103084396824895

半導体基板の製造方法

発明者： 芝 和宏
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (3件)： 棚井 澄雄 ,  森 隆一郎 ,  松尾 直樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-116406
公開番号（公開出願番号）：特開2011-243857
出願日： 2010年05月20日
公開日（公表日）： 2011年12月01日
要約：

【課題】厚みのある半導体基板に対し、正確な位置でのへき開を可能とするような十分な深さのガイド溝を形成する半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体基板の製造方法は、インジウムリン化合物半導体またはガリウムヒ素化合物半導体からなる基板本体の表面に、開口幅が略40um以下である開口部が形成されたマスクを、その開口部が基板本体のへき開線に沿って延びるように転写する工程と、基板本体の表面に臭素系のエッチング液を用いてウエットエッチング処理を施すことによって、縦断面で略V字型を有するガイド溝を形成する工程と、ガイド溝に反応性ガスを用いてドライエッチング処理を施すことによって、底部の縦断面形状を略V字型に保持したままガイド溝の溝深さを深くする工程と、を含むものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

インジウムリン化合物半導体またはガリウムヒ素化合物半導体からなる基板本体の表面に、開口幅が略40um以下である開口部が形成されたマスクを、その開口部が前記基板本体のへき開線に沿って延びるように転写する工程と、 前記基板本体の表面のうち前記マスクの開口部に相当する部分に、臭素系のエッチング液を用いてウエットエッチング処理を施すことによって、縦断面で略V字型を有し前記基板本体のへき開を案内するためのガイド溝を形成する工程と、 前記ガイド溝に、反応性ガスを用いてドライエッチング処理を施すことによって、底部の縦断面形状を略V字型に保持したまま前記ガイド溝の溝深さを深くする工程と、 を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01S 5/323 ,  H01L 21/308

FI (4件)：

H01L21/306 C ,  H01S5/323 ,  H01L21/308 C ,  H01L21/302 104Z

Fターム (22件)：

5F004AA16 ,  5F004DB20 ,  5F004DB22 ,  5F004EB04 ,  5F004FA08 ,  5F043AA03 ,  5F043AA04 ,  5F043BB07 ,  5F043BB08 ,  5F043DD15 ,  5F043FF01 ,  5F043GG01 ,  5F173AH02 ,  5F173AH06 ,  5F173AH12 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP43 ,  5F173AP45 ,  5F173AP83 ,  5F173AP93 ,  5F173AR92