特許
J-GLOBAL ID：201103084475027585
埋め込み型半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鎌田 文二 (外2名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-189914
公開番号（公開出願番号）：特開平3-054883
出願日： 1989年07月22日
公開日（公表日）： 1991年03月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】P形InP基板1上にP形InPバッファ層2、InGaAsP活性層3およびn形InPクラッド層4が順に積層されたダブルヘテロ接合多層膜基板を、所定幅で前記InGaAsP活性層3よりも深くメサエッチングにより形成したメサストライプ50の側面に、前記P形InPバッファ層2に接するn形InP電流ブロック層5′と前記InGaAsP活性層3に接するP形InP電流ブロック層6を積層し、前記メサトストライプ50を含む全面にわたってn形InPクラッド層8およびn形InGaAsPコンタクト層9を積層して前記活性層3を埋め込んだ埋め込み型半導体レーザにおいて、前記n形InP電流ブロック層5′をn形In(1-x)GaxASyP(1-y)5とすると共に、前記メサストライプ50側面のP形InP電流ブロック層6およびn形InPクラッド層8間に、n形In(1-x′)Gax′Asy′P(1-y′)キャップ層7を形成したことを特徴とする埋め込み型半導体レーザ。
IPC (1件)：
引用特許：
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