特許

J-GLOBAL ID：201103084604464610

ゲート電荷を低減したトレンチ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ素子

発明者： フシエフ、フュー-イウアン ,  ソー、クーン、チョング ,  ツイ、ヤン、マン
出願人/特許権者： ゼネラル セミコンダクター,インク.
代理人 (3件)： 小池 晃 ,  田村 榮一 ,  伊賀 誠司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-524228
特許番号：特許第4060706号
出願日： 2001年08月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1の伝導型の半導体基板と、 上記半導体基板上に堆積された半導体エピタキシャル層の下部内に形成され、上記半導体基板の多数キャリア濃度より低い多数キャリア濃度を有する第1の伝導型の半導体エピタキシャル領域と、 上記半導体エピタキシャル層の上部内に形成される第2の伝導型の領域と、 上記半導体エピタキシャル層の上側表面から、上記第2の伝導型の領域を介して、上記第1の伝導型の半導体エピタキシャル領域に達し、上記半導体エピタキシャル層によってそれぞれが互いに少なくとも部分的に分離され、上記第2の伝導型の領域において複数の多角形状のボディ領域を画定する複数のトレンチセグメントと、 上記トレンチセグメントの内壁を少なくとも部分的に覆う第1の絶縁層と、 上記トレンチセグメントの第1の絶縁層の内側で、上記半導体エピタキシャル層の上側表面より所定の深さ低い位置に表面を有し、上記半導体エピタキシャル層の隣接するトレンチセグメントを互いに少なくとも部分的に分離する半導体領域上に形成され、該半導体領域の少なくとも1つを跨って形成される接続導電領域によって互いに接続された複数の第1の導電領域と、 上記多角形状のボディ領域の上部内に、上記トレンチセグメントに隣接し、上記第1の伝導型の複数のソース領域とを備え、 上記複数のソース領域は、上記半導体領域外に位置することを特徴とするトレンチ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ素子。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 652 C ,  H01L 29/78 652 S ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 658 E ,  H01L 29/78 658 F

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-100531   出願人：株式会社東芝