半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安倍逸郎
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-013787
公開番号（公開出願番号）：特開平2-194534
出願日： 1989年01月23日
公開日（公表日）： 1990年08月01日
請求項（抜粋）：

【請求項1】コレクタ層の表面にチャネルストッパ層を有する半導体装置において、該チャネルストッパ層の不純物濃度を、コレクタ層のそれよりも高く、かつ、エミッタ層のそれよりも低くし、このチャネルストッパ層をアイソレーション層に接して設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：