特許
J-GLOBAL ID：201103084642021403
シリコン単結晶の引上げ方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
落合 稔 (外3名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-337039
公開番号（公開出願番号）：特開平3-197390
出願日： 1989年12月26日
公開日（公表日）： 1991年08月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】石英るつぼ内にシリコン多結晶団塊を充填し、この石英るつぼに蓋をした後、該石英るつぼと上記蓋とを減圧吸着させつつシリコン多結晶の融点より低い温度で上記シリコン多結晶団塊を加熱して該シリコン多結晶団塊表面を清浄化し、次いで石英るつぼと上記蓋とを減圧吸着させたままの状態で上記石英るつぼを上記蓋の付属把手を利用して引上げ機のチャンバー内に装着し、その後蓋を取り外してシリコン多結晶を溶融するようにしたことを特徴とする高純度シリコン単結晶引上げ方法。
IPC (2件)：
C30B 15/00 Z
, C30B 29/06 502 A 8216-4G
