半導体装置の作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-094985
公開番号（公開出願番号）：特開2011-243973
出願日： 2011年04月21日
公開日（公表日）： 2011年12月01日
要約：

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。酸素ドープ処理されたゲート絶縁膜、熱処理による脱水化または脱水素化処理された酸化物半導体膜を有するトランジスタは、バイアス-熱ストレス試験(BT試験)前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極層を形成し、前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜に酸素ドープ処理を行って、前記ゲート絶縁膜に酸素原子を供給し、前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極層と重畳する領域に酸化物半導体膜を形成し、前記酸化物半導体膜に熱処理を行って、前記酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を形成し、前記酸化物半導体膜、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に前記酸化物半導体膜に接して絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (7件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/283 , G02F 1/136 , G02F 1/17 , H01L 51/50 , H05B 33/14

FI (12件)：

H01L29/78 617V , H01L29/78 619A , H01L29/78 617T , H01L29/78 627F , H01L29/78 618B , H01L21/283 C , H01L21/283 B , G02F1/1368 , G02F1/17 , H05B33/14 A , H05B33/14 Z , H01L29/78 618F

Fターム (111件)：

2H092JA26 , 2H092JA34 , 2H092JA46 , 2H092JB56 , 2H092KA08 , 2H092KA12 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA10 , 2H092MA14 , 2H092MA16 , 2H092MA17 , 2H092MA27 , 2H092NA24 , 2K101AA08 , 2K101BA12 , 2K101EC08 , 2K101EC82 , 2K101ED13 , 2K101EE02 , 2K101EJ23 , 2K101EK35 , 3K107AA01 , 3K107AA05 , 3K107BB01 , 3K107CC23 , 3K107EE04 , 3K107FF14 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB31 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104EE03 , 4M104EE06 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 5F110AA14 , 5F110BB02 , 5F110BB10 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG25 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN05 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110QQ02 , 5F110QQ08

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置及び半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-195539 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-020983 出願人：キヤノン株式会社
薄膜トランジスタ及びその製造方法、ならびに薄膜トランジスタを備える平板表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-058255 出願人：三星モバイルディスプレイ株式會社

全件表示

前のページに戻る