特許

J-GLOBAL ID：201103084673764323

III族窒化物結晶の成長方法

発明者： 廣村 友紀 ,  上松 康二 ,  森下 昌紀 ,  藤原 伸介
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫 ,  佐々木 眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-053352
公開番号（公開出願番号）：特開2011-184265
出願日： 2010年03月10日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：

【課題】結晶成長面内において均一な厚さを有するIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物結晶の成長方法を提供する。【解決手段】本III族窒化物結晶の成長方法は、III族窒化物結晶基板10を準備する工程と、液相法によりIII族窒化物結晶基板10の主面10m上にIII族窒化物結晶20を複数回繰り返して成長させる工程と、を備え、結晶成長面20u内において均一な厚さを有するIII族窒化物結晶を成長させる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

III族窒化物結晶基板を準備する工程と、 液相法により前記III族窒化物結晶基板の主面上にIII族窒化物結晶を複数回繰り返して成長させる工程と、を備え、 結晶成長面内において均一な厚さを有する前記III族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物結晶の成長方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  C30B 19/04 ,  H01L 33/32 ,  H01S 5/323

FI (4件)：

C30B29/38 D ,  C30B19/04 ,  H01L33/00 186 ,  H01S5/323 610

Fターム (24件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CG01 ,  4G077CG07 ,  4G077EA01 ,  4G077EA04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EH09 ,  4G077QA12 ,  4G077QA34 ,  4G077QA38 ,  4G077QA42 ,  4G077QA79 ,  5F041AA31 ,  5F041CA40 ,  5F041CA63 ,  5F041CA74 ,  5F173AH22 ,  5F173AP03 ,  5F173AP16 ,  5F173AP23 ,  5F173AP24 ,  5F173AP30