成膜方法及び成膜装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-171557
公開番号（公開出願番号）：特開2011-029284
出願日： 2009年07月22日
公開日（公表日）： 2011年02月10日
要約：

【課題】膜質を高く維持し、且つスループットも低下させることなく原料ガスの消費量を大幅に抑制することが可能な成膜方法及び成膜装置を提供する。【解決手段】被処理体Wを収容する処理容器22と、原料ガスを供給する原料ガス供給系54と、反応ガスを供給する反応ガス供給系56と、弁開度が調整可能な開閉弁80Bを有して真空引きする真空排気系78とを備えた成膜処理装置20による成膜方法において、真空排気系の開閉弁80Bを閉じた状態で原料ガス供給系の開閉弁62Bを最初の所定の期間は開状態した後に直ちに閉状態にして処理容器内へ原料ガスを一時的に供給して吸着させる吸着工程と、反応ガス供給系の開閉弁66Bを開状態にして反応ガスを処理容器内へ供給しつつ真空排気系の開閉弁80Bを最初は開状態としてその後は弁開度を徐々に小さくして反応ガスを反応させて薄膜を形成する反応工程とを、間欠期間を挟んで交互に複数回繰り返す。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数の被処理体を収容することができる処理容器と、開閉弁を有して前記処理容器内へ原料ガスを供給することができる原料ガス供給系と、開閉弁を有して前記処理容器内へ反応ガスを供給することができる反応ガス供給系と、弁開度が調整可能になされた開閉弁を有して前記処理容器内の雰囲気を真空引きすることができる真空排気系とを備えた成膜装置を用いて前記被処理体に薄膜を形成する成膜方法において、前記真空排気系の前記開閉弁を閉じた状態で前記原料ガス供給系の前記開閉弁を最初の所定の期間は開状態した後に直ちに閉状態にして前記処理容器内へ前記原料ガスを一時的に供給して前記被処理体に吸着させる吸着工程と、前記反応ガス供給系の前記開閉弁を開状態にして前記反応ガスを前記処理容器内へ供給しつつ前記真空排気系の前記開閉弁を最初は開状態としてその後は弁開度を徐々に小さくするようにして前記反応ガスを前記原料ガスと反応させて薄膜を形成する反応工程とを、間に間欠期間を挟んで交互に複数回繰り返すようにしたことを特徴とする成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 21/31 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , C23C 16/455

FI (4件)：

H01L21/31 B , H01L21/316 X , H01L21/318 B , C23C16/455

Fターム (52件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA14 , 4K030BA40 , 4K030BA44 , 4K030BA48 , 4K030EA01 , 4K030EA11 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030KA28 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 5F045AA06 , 5F045AA15 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AD09 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF07 , 5F045BB02 , 5F045DP19 , 5F045DP28 , 5F045DQ05 , 5F045EE19 , 5F045EF03 , 5F045EF08 , 5F045EG06 , 5F045EK06 , 5F045EM10 , 5F045GB06 , 5F058BA06 , 5F058BA20 , 5F058BB01 , 5F058BB07 , 5F058BB10 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BF04 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF37

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