特許
J-GLOBAL ID：201103084747275800
バイポーラトランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-218010
公開番号（公開出願番号）：特開平3-082038
出願日： 1989年08月24日
公開日（公表日）： 1991年04月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】第1導電型のコレクタ層、第2導電型のベース層および第1導電型のエミッタ層の少なくとも3層がこの順に積層された多層膜構造を有するバイポーラトランジスタの製造において、エミッタメサを形成する工程と、前記エミッタメサの側壁に側壁膜を形成し、前記エミッタメサと前記側壁膜とをマスクとして、エッチングによるベース領域を画定する工程と、前記側壁膜をベース電極に置換する工程とを含むことを特徴としたバイポーラトランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/205
, H01L 29/73
