特許
J-GLOBAL ID：201103085157415459
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-007002
公開番号（公開出願番号）：特開平2-186647
特許番号：特許第2911906号
出願日： 1989年01月12日
公開日（公表日）： 1990年07月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】リードフレームを樹脂成形の下型及び上型で挟持し、上記二つの型のキャビティが形成する成形空間に樹脂を注入する半導体装置の製造方法において、上記二つの型の一方の型には該リードフレームの外枠の外側に設けられたランナから分岐しリードフレームの外枠のうち該キャビティに接する部分の片面に接して該型のキャビティに開口する第1ゲートを、他方の型には第1ゲートと対向し該外枠のうち該キャビティに接する部分の反対面に接して該型のキャビティに開口する該外枠部分に限られた第2ゲートを設けると共に、リードフレームの外枠の上記第1及び第2ゲートで挟まれる領域には両ゲートを連通させる孔または内縁開口の切欠を設けて、上記ランナからの樹脂が、第1ゲートと共に上記孔または切欠を通して第2ゲートからも上記成形空間に注入されるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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