半導体装置およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-287718
公開番号（公開出願番号）：特開2011-151394
出願日： 2010年12月24日
公開日（公表日）： 2011年08月04日
要約：

【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、酸化物半導体層、ソース電極およびドレイン電極を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、酸化物半導体層の厚さは1nm以上10nm以下であり、ゲート絶縁層は、ゲート絶縁層に用いられる材料の比誘電率をεr、ゲート絶縁層の厚さをdとして、εr/dが、0.08(nm-1)以上7.9(nm-1)以下の関係を満たし、ソース電極とドレイン電極との間隔は10nm以上1μm以下である半導体装置である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、前記酸化物半導体層、前記ソース電極および前記ドレイン電極を覆うゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、前記酸化物半導体層の厚さは1nm以上10nm以下であり、前記ゲート絶縁層は、前記ゲート絶縁層に用いられる材料の比誘電率をεr、前記ゲート絶縁層の厚さをdとして、εr/dが、0.08(nm-1)以上7.9(nm-1)以下の関係を満たし、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間隔は10nm以上1μm以下である半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 617S , H01L29/78 619A , H01L29/78 626C

Fターム (54件)：

5F110AA04 , 5F110AA06 , 5F110AA26 , 5F110BB07 , 5F110BB08 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD21 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HK42 , 5F110HM03 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN33 , 5F110NN35 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-234117 出願人：三菱電機株式会社

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