特許
J-GLOBAL ID:201103085384386635

高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 小島 隆司 ,  西川 裕子
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-037403
公開番号(公開出願番号):特開2001-226432
特許番号:特許第3861966号
出願日: 2000年02月16日
公開日(公表日): 2001年08月21日
請求項(抜粋):
【請求項1】 下記一般式(1)で示される、主鎖がフッ素化されたアクリル誘導体を繰り返し単位として含むことを特徴とする高分子化合物。 (式中、R1,R2はフッ素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基、R3は水素原子、フッ素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R1,R2,R3の少なくとも1つはフッ素原子を含む。R4は少なくとも1つの珪素原子を含む下記一般式(2)〜(6)で示される珪素含有基から選ばれる基である。) (式中、R5は炭素数2〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、R9,R11,R15,R19,R22,R24,R28は単結合又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基であり、R10は水素原子又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である。R6,R7,R8,R12,R13,R14,R16,R17,R18,R20,R21,R23,R25,R26,R27,R29,R30,R31は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化アルキル基、炭素数6〜20のアリール基、又は隣接する珪素原子と直接又は酸素原子もしくはアルキレン基を介して結合するシリル基又はシロキシ基である。あるいは、R6,R7,R8のうち2つの基、R10,R12,R13,R14,R16,R17,R18のうち2つの基、R20,R21,R23,R25,R26,R27,R29,R30,R31のうち2つの基が互いに結合して珪素原子と共に環を形成してもよい。R32は単結合又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基であり、R35は酸素原子又は炭素数1〜6の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基であり、R33,R34,R36,R37,R38は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化アルキル基、炭素数6〜20のアリール基、又は隣接する珪素原子と直接又は酸素原子もしくはアルキレン基を介して結合するシリル基又はシロキシ基である。あるいは、R36,R37,R38のうち2つの基が互いに結合して珪素原子と共に環を形成してもよい。R39は単結合又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、R41,R42は炭素数1〜6の直鎖状もしくは分岐状のSiR45R46基が介在してもよいアルキレン基であり、R40,R43,R44,R45,R46は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化アルキル基、炭素数6〜20のアリール基、又は隣接する珪素原子と直接又は酸素原子もしくはアルキレン基を介して結合するシリル基又はシロキシ基である。)
IPC (4件):
C08F 30/08 ( 200 6.01) ,  G03F 7/039 ( 200 6.01) ,  G03F 7/075 ( 200 6.01) ,  H01L 21/027 ( 200 6.01)
FI (4件):
C08F 30/08 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/30 502 R
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (7件)
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