特許
J-GLOBAL ID：201103085465720769
モノリシックなオプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鷲田 公一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-547951
公開番号（公開出願番号）：特表2011-513957
出願日： 2009年02月25日
公開日（公表日）： 2011年04月28日
要約：
本発明は、電気的に絶縁されている少なくとも2つのサブセグメントに分割されている半導体積層体、を備えているオプトエレクトロニクス半導体ボディ、に関する。各サブセグメントにおいて、半導体積層体は活性層を備えている。さらに、少なくとも3つの電気コンタクトパッドが設けられている。1つの第1の導体面は、少なくとも2つのサブセグメントのうちの第1のサブセグメントと、第1のコンタクトパッドとに接触している。第2の導体面は、少なくとも2つのサブセグメントのうちの第2のサブセグメントと、第2のコンタクトパッドとに接触している。第3の導体面は、両方のサブセグメントを一緒に結合しており、第3のコンタクトパッドに接触している。さらに、これらの導体面それぞれは第1の主面とは反対側に配置されており、第1の主面は、発生した電磁放射を放出するために設けられている。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
モノリシックなオプトエレクトロニクス半導体ボディであって、
- 互いに電気的に分離されている少なくとも2つのサブセグメントに分割されており、第1の主面および第2の主面を有する半導体積層体であって、各部分領域における前記半導体積層体が、電磁放射を発生させるのに適している活性層を有する、前記半導体積層体と、
- 第1のコンタクトパッド、第2のコンタクトパッド、および少なくとも1つの第3のコンタクトパッドと、
- 前記第2の主面に隣接して配置されており、前記少なくとも2つのサブセグメントのうちの第1のサブセグメントと、前記第1のコンタクトパッドとに電気的に接触している、第1の配線レベルと、
- 前記第2の主面に隣接して配置されており、前記少なくとも2つのサブセグメントのうちの第2のサブセグメントと、前記第2のコンタクトパッドとに電気的に接触している、第2の配線レベルと、
- 前記第2の主面に隣接して配置されている第3の配線レベルであって、電磁放射を発生させるため、前記第1のサブセグメントと前記第2のサブセグメントとを互いに電気的に接続しており、前記第3のコンタクトパッドに電気的に接触している、前記第3の配線レベルと、
を備えており、
- 前記半導体積層体の前記第1の主面が、前記活性層において発生する電磁放射を放出するように意図されている、
モノリシックなオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA91
, 5F041CB15
, 5F041CB25
, 5F041DB08
, 5F041FF11
