特許
J-GLOBAL ID：201103085561336252
ダイヤモンド様薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
倉内 基弘 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-178089
公開番号（公開出願番号）：特開平3-045593
特許番号：特許第2717854号
出願日： 1989年07月12日
公開日（公表日）： 1991年02月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】真空室内に低分子量炭化水素、又は分解又は反応により低分子量炭化水素を生成し得る原料ガスを導入し、熱陰極フィラメントとその周りに設けられた対電極とよりなるイオン化手段により電離して炭化水素イオンの流れを形成し、これを前記対電極よりも低電位にあるグリッドにより加速して基体上で成膜反応させる、ダイヤモンド様薄膜の製造方法において、前記対電極と負電位の基体との距離をA、前記グリッドと基体の距離をB、前記対電極と基体との間の印加電圧をVaとするとき、5<Va/A<60(V/mm)2< B <30(mm)の条件で前記の成膜が実施されることを特徴とするダイヤモンド様薄膜製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/04 J
, C23C 16/26
