特許

J-GLOBAL ID：201103085778819391

強誘電体メモリ

発明者： 阿部 和秀 ,  吉田 精一 ,  豊田 啓 ,  山川 晃司 ,  今井 基良 ,  原田 光雄 ,  小塙 佳子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-169596
公開番号（公開出願番号）：特開平3-035499
特許番号：特許第2809718号
出願日： 1989年06月30日
公開日（公表日）： 1991年02月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】主として<111>軸が厚さ方向に配向したジルコン酸チタン酸鉛の薄膜及び該薄膜を挟む一対の電極からなる強誘電体コンデンサと、このコンデンサに抗電界より大きい電圧を20ns〜2μsの時間印加して該コンデンサを分極させるための書き込み手段と、前記コンデンサに抗電界より大きい電圧を20ns〜2μsの時間で一定方向に印加するための読み出し手段とを具備したことを特徴とする強誘電体メモリ。

IPC (3件)：

G11C 11/22 ,  G11C 14/00 ,  H01L 27/10 451

FI (3件)：

G11C 11/22 ,  H01L 27/10 451 ,  G11C 11/34 352 A