特許
J-GLOBAL ID：201103085790721321
発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
平田 忠雄
, 重泉 達志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-221343
公開番号（公開出願番号）：特開2011-071339
出願日： 2009年09月25日
公開日（公表日）： 2011年04月07日
要約：
【課題】発光面積を維持しつつ、順方向電圧の上昇を抑制できる発光素子を提供する。【解決手段】本発明に係る発光素子1は、第1導電型の半導体層と、発光層25と、第1導電型とは異なる第2導電型の半導体層とを含む窒化物化合物半導体からなる半導体積層構造と、第2導電型の半導体層にオーミック接触するpコンタクト電極30と、pコンタクト電極30にオーミック接触する点状の第2電極と、第2導電型の半導体層及び発光層25の一部が除去されて露出した第1導電型の半導体層にオーミック接触すると共に、第2電極の数より多く設けられる複数の点状の第1電極とを備える。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1半導体層と、発光層と、前記第1導電型とは異なる第2導電型の第2半導体層とが積層され、前記第2半導体層及び前記発光層の一部が除去されて前記第1半導体層が露出した窒化物化合物半導体からなる半導体積層構造と、
前記第2半導体層にオーミック接触するpコンタクト電極と、
前記pコンタクト電極にオーミック接触する点状の第2電極と、
前記第1半導体層の露出部分にオーミック接触し、前記第2電極の数より多い複数の点状の第1電極と、を備える発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F041AA24
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA64
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F041CA82
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA93
