特許
J-GLOBAL ID：201103085806381518
太陽電池の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人はるか国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-552748
特許番号：特許第4168413号
出願日： 1999年03月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】基板上に透明導電膜、非晶質シリコン膜および金属電極膜で構成される太陽電池素子を配置形成する太陽電池の製造方法であって、当該金属電極膜と非晶質シリコン膜を除去して、当該透明導電膜を露出させる太陽電池の製造方法において、
前記基板上に、前記透明導電膜、非晶質シリコン膜および金属電極膜を順次成膜した積層体を形成する工程、
前記積層体のパターニングのため、前記積層体上に、開口部の縁部に、厚みの薄い部分と厚みの厚い部分とからなる階段形状を設けたフォトレジスト膜を形成する工程、
前記フォトレジスト膜をマスクとして使用した第1のエッチング処理の後、前記フォトレジスト膜の前記厚みの薄い部分がなくなるまで、当該フォトレジスト膜の除去処理を実行する工程、
前記積層体上に残存している前記フォトレジスト膜をマスクとして使用して、第2のエッチング処理を行う工程と、を有し、
前記第1のエッチング処理は、前記フォトレジスト膜の開口部を介して、前記透明導電膜、非晶質シリコン膜および金属電極膜の、全ての積層膜を除去する工程であり、
前記第2のエッチング処理は、残存する前記フォトレジスト膜の開口部を介して、前記透明導電膜を除く、前記非晶質シリコン膜および金属電極膜を除去する工程である、ことを特徴とする太陽電池の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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