特許
J-GLOBAL ID:201103085829161663

強磁性金属薄膜の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平1-226624
公開番号(公開出願番号):特開平3-089506
特許番号:特許第2849412号
出願日: 1989年08月31日
公開日(公表日): 1991年04月15日
請求項(抜粋):
【請求項1】Si,Al,Feを組成分とするセンダスト合金の強磁性金属薄膜か又は、上記組成分に、Ru,Ti,Cr中の少なくとも一種類以上添加した強磁性金属薄膜を対向ターゲット式スパッタリング法によって成膜する製造方法において、基板に最も近いターゲットの外周部の一点と、ターゲットに最も近い基板の外周部の一点とを結ぶ方向と、基板表面とのなす角度が0 ゚よりも大きく、かつ45 ゚以下であることを特徴とする強磁性金属薄膜の製造方法。
IPC (2件):
H01F 41/18 ,  C23C 14/34
FI (2件):
H01F 41/18 ,  C23C 14/34 P
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭63-100156
  • 特開昭58-055566

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