半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-337875
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141275
特許番号：特許第3387907号
出願日： 2000年11月06日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】EUVを光源として、EUVでの屈折率が大きく異なった対となる2種類以上の材料層の積層膜を有し、略同一のマスクパターンを有する2枚以上複数枚の反射型マスクを用いて、ウェハ上の所定の位置に露光する工程を有し、前記2枚以上複数枚の反射型マスクに形成されたマスクパターンは、単一の基板上に形成され、隣り合ったマスクに対して鏡面対称パターンとなるように形成されてなり、かつ、前記鏡面対称パターン像を前記ウェハ上の所定の位置に多重露光することにより、前記積層膜表面に生じた凹凸で位相変調を起こす位相型の欠陥転写性を軽減するよう構成したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/20 502 , G03F 7/22

FI (6件)：

G03F 1/08 D , G03F 7/20 502 , G03F 7/22 H , H01L 21/30 502 C , H01L 21/30 518 , H01L 21/30 531 E

引用特許：

審査官引用 (17件)

特開平3-280526
特開平3-280526
特開昭63-077058

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