特許
J-GLOBAL ID：201103086009351863
シリコンウェーハ及びシリコンウェーハの検査方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-244614
公開番号（公開出願番号）：特開平3-106031
特許番号：特許第2761055号
出願日： 1989年09月20日
公開日（公表日）： 1991年05月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】シリコン単結晶インゴットのブロックから第1及び第2の検査用試料を取り出し、酸素雰囲気中において前記第1の検査用試料に950〜1100°Cの温度で15〜20時間の第1の熱処理を施したときの、前記第1の熱処理前における格子間酸素濃度を[Oi]1iniとし、前記第1の熱処理後における格子間酸素濃度を[Oi]1afとし、酸素雰囲気中において前記第2の検査用試料に750〜800°Cの温度で3〜5時間の第2の熱処理を施した後、続けて酸素雰囲気中において前記第2の検査用試料に950〜1100°Cの温度で15〜20時間の第3の熱処理を施したときの、前記第2及び第3の熱処理前における格子間酸素濃度を[Oi]2iniとし、前記第2及び第3の熱処理後における格子間酸素濃度を[Oi]2afとした場合に、で示される条件を満たしている、前記シリコン単結晶インゴットのブロックから得られる半導体製品製造用シリコンウェーハ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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