特許

J-GLOBAL ID：201103086188004216

III族窒化物積層基板

発明者： 江川 孝志 ,  坂本 陵 ,  伊藤 統夫
出願人/特許権者： DOWAエレクトロニクス株式会社 ,  国立大学法人 名古屋工業大学
代理人 (3件)： 杉村 憲司 ,  来間 清志 ,  高梨 玲子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-252982
公開番号（公開出願番号）：特開2011-100772
出願日： 2009年11月04日
公開日（公表日）： 2011年05月19日
要約：

【課題】割れの発生を抑制することに加え、結晶性も向上させたIII族窒化物半導体を提供する。【解決手段】シリコン基板と、該シリコン基板上に形成した歪超格子積層体と、該歪超格子積層体上に成長したIII族窒化物積層体とを具えるIII族窒化物積層基板であって、前記歪超格子積層体は、少なくとも前記シリコン基板側から順に第1超格子積層体と第2超格子積層体とを有し、前記第1超格子積層体は、AlN層とGaN層とを交互に積層してなり、前記第2超格子積層体は、AlN層とAlxGa1-xN(0<x<1)層とを交互に積層してなり、かつ前記第1超格子積層体の総厚が1μmを超えることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、該シリコン基板上に形成した歪超格子積層体と、該歪超格子積層体上に成長したIII族窒化物積層体とを具えるIII族窒化物積層基板であって、 前記歪超格子積層体は、少なくとも前記シリコン基板側から順に第1超格子積層体と第2超格子積層体とを有し、 前記第1超格子積層体は、AlN層とGaN層とを交互に積層してなり、 前記第2超格子積層体は、AlN層とAlxGa1-xN(0<x<1)層とを交互に積層してなり、かつ 前記第1超格子積層体の総厚が1μmを超えることを特徴とするIII族窒化物積層基板。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/32 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  C23C 16/34

FI (4件)：

H01L21/205 ,  H01L33/00 186 ,  H01L29/80 H ,  C23C16/34

Fターム (33件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F102FA00 ,  5F102GB04 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GR01 ,  5F102HC01