特許
J-GLOBAL ID：201103086217150324
電界効果制御可能のバイポーラ・トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富村 潔
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-040124
公開番号（公開出願番号）：特開平2-007569
出願日： 1989年02月20日
公開日（公表日）： 1990年01月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】内部領域と内部領域よりも高濃度に逆導電型ドープされているドレン側領域を含む半導体物体を備え、電界効果により制御可能のバイポーラ・トランジスタにおいて、ドレン側領域(15)が1μm以下の厚さであること、この領域が1×1012ないし1×1015cm-2のドープ量でイオン注入されること、内部領域(2)内で少数キャリアの寿命が少なくとも10μsであることを特徴とする電界効果制御可能のバイポーラ・トランジスタ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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