特許

J-GLOBAL ID：201103086607844424

半導体レーザ駆動回路

発明者： 本 昭宏
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  黒木 義樹 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-165896
公開番号（公開出願番号）：特開2011-023474
出願日： 2009年07月14日
公開日（公表日）： 2011年02月03日
要約：

【課題】高速光通信に適用可能なシャント駆動方式の半導体レーザ駆動回路の広帯域化を実現する。【解決手段】半導体レーザ駆動回路1は、半導体発光素子11と、N型MOSFETであるトランジスタ14と、NPN型バイポーラトランジスタであるトランジスタ15とを備える。半導体発光素子11のアノードはバイアス電流の供給端子であるリードピンP1に接続されている。トランジスタ14は、半導体発光素子11のアノード及びカソードのそれぞれに接続されたドレイン及びソースと、バイアス電流を変調するための変調信号の入力端子であるリードピンP2にトランジスタ15を介して接続されたゲートとを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体発光素子と、第1及び第2のトランジスタとを備え、 前記半導体発光素子のアノードはバイアス電流の供給端子に接続され、 前記第1のトランジスタは、前記半導体発光素子のアノードに接続された第1の電流端子と、前記半導体発光素子のカソードに接続された第2の電流端子と、前記バイアス電流を変調するための変調信号の入力端子に前記第2のトランジスタを介して接続された第1の制御用端子とを有する、ことを特徴とする半導体レーザ駆動回路。

IPC (1件)：

H01S 5/062

FI (1件)：

H01S5/062

Fターム (4件)：

5F173SA17 ,  5F173SG05 ,  5F173SG07 ,  5F173SG08