特許

J-GLOBAL ID：201103086870993671

薄膜形成装置および薄膜形成方法

発明者： 神山 遊馬 ,  本田 和義 ,  篠川 泰治 ,  澁谷 聡
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (3件)： 内藤 浩樹 ,  永野 大介 ,  藤井 兼太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-211389
公開番号（公開出願番号）：特開2011-058079
出願日： 2009年09月14日
公開日（公表日）： 2011年03月24日
要約：

【課題】ガス冷却を用いた成膜方法において、基板への損傷を抑制しながら、十分な基板冷却能力を確保する。【解決手段】本発明の薄膜形成装置は、薄膜形成領域9において基板7の裏面に近接する冷却体10と、冷却体10と基板7の裏面の間にガスを導入するガス導入手段とを備え、冷却体10は、基板と近接し赤外光を透過する透過体と透過体を介して基板と対向する吸収体から構成される。このような構成によって、基板から放射された輻射光が透過体を透過し、透過体を介して基板と対向する輻射率が大きな吸収体に吸収されるため、冷却体10から基板7への輻射を抑制することが出来る。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

真空中で、表面と裏面を有する帯状の基板の前記表面上に、薄膜を形成する薄膜形成装置であって、 前記基板を搬送する搬送機構と、 搬送されている前記基板の前記表面上に、薄膜形成領域内で薄膜を形成する薄膜形成手段と、 前記薄膜形成領域において前記裏面に近接する冷却面を有する冷却体と、 前記搬送機構と、前記薄膜形成手段と、前記冷却体とを収容する真空容器とを備え、 前記冷却体は、基板と近接し赤外光を透過する透過体と、透過体を介して基板を対向する吸収体を具備することを特徴とし、透過体の輻射率は吸収体の輻射率よりも小さいことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (4件)：

C23C 14/56 ,  C23C 16/54 ,  G11B 5/85 ,  G11B 5/851

FI (4件)：

C23C14/56 D ,  C23C16/54 ,  G11B5/85 ,  G11B5/851

Fターム (19件)：

4K029AA11 ,  4K029AA25 ,  4K029BD11 ,  4K029DA05 ,  4K029DA06 ,  4K029EA03 ,  4K029JA10 ,  4K030CA17 ,  4K030GA14 ,  4K030JA09 ,  4K030KA26 ,  4K030KA46 ,  4K030LA20 ,  5D112AA05 ,  5D112AA22 ,  5D112FA01 ,  5D112FA04 ,  5D112FB21 ,  5D112FB25