半導体装置、及びその駆動方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-049774
公開番号（公開出願番号）：特開2011-211699
出願日： 2011年03月08日
公開日（公表日）： 2011年10月20日
要約：

【課題】グローバルシャッタ方式で電荷の蓄積を行うイメージセンサにおいて、蓄積期間終了時から最後の行を読み出すまでの期間、蓄積電荷保持部からの電荷の流出を極力抑制することのできる半導体装置の提供を目的とする。【解決手段】画素がマトリクス状に複数配置されたCMOSセンサ型のイメージセンサにおいて、画素部の電荷蓄積制御トランジスタ及びリセットトランジスタにチャネル形成領域が酸化物半導体で形成されたトランジスタを使用し、マトリクス状に配置された全ての画素で信号電荷蓄積部のリセット動作を行った後、全ての画素でフォトダイオードによる電荷の蓄積動作を行い、行毎に画素から信号の読み出し動作を行うことで歪みの無い撮像を可能とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

フォトダイオードと、信号電荷蓄積部と、複数のトランジスタと、を有した画素がマトリクス状に複数配置され、前記複数のトランジスタの少なくとも一つ以上は、チャネル形成領域が酸化物半導体で形成されており、前記マトリクス状に配置された全ての画素で信号電荷蓄積部のリセット動作が略同時に行われた後に、全ての画素で前記フォトダイオードによる電荷の蓄積動作が略同時に行われ、行毎に画素から信号の読み出し動作が行われることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H04N 5/374 , H04N 5/353 , H04N 5/376 , H01L 27/146

FI (4件)：

H04N5/335 740 , H04N5/335 530 , H04N5/335 760 , H01L27/14 C

Fターム (15件)：

4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA05 , 4M118CB05 , 4M118CB14 , 4M118DD04 , 4M118DD12 , 4M118FB03 , 4M118FB13 , 4M118FB24 , 5C024CX54 , 5C024GX03 , 5C024GX16 , 5C024GX18 , 5C024JX41

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