特許

J-GLOBAL ID：201103087293485692

切削方法

発明者： 淀 良彰
出願人/特許権者： 株式会社ディスコ
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-009517
公開番号（公開出願番号）：特開2011-151090
出願日： 2010年01月19日
公開日（公表日）： 2011年08月04日
要約：

【課題】半導体ウェーハ等のワークの表面に形成された機能層の膜剥がれをより一層抑制すること。【解決手段】本発明のある実施の形態における切削方法において、第1の加工溝形成工程は、半導体ウェーハ1の分割予定ライン12に沿って機能層13に第1のレーザー光線を照射し、後段の切削工程で用いる切削ブレードの幅より広い間隔で分割予定ライン12に沿った一対の第1の加工溝141,142を形成する。凸部形成工程は、分割予定ライン12に沿って一対の第1の加工溝141,142の内側の機能層13に第2のレーザー光線を照射し、一対の第1の加工溝141,142と離間するように基板10の表面が露出する深さの第2の加工溝15を形成することで一対の凸部161,162を形成する。そして、切削工程は、半導体ウェーハ1を第2の加工溝15が形成された分割予定ライン12に沿って切削ブレードにより切削する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

表面に機能層が積層された基板上に複数のデバイスが形成されたワークを、前記複数のデバイスを区画する分割予定ラインに沿って切削ブレードにより切削する切削方法であって、 前記分割予定ラインに沿って前記機能層に第1のレーザー光線を照射し、前記切削ブレードの幅より広い間隔で前記分割予定ラインに沿った一対の第1の加工溝を形成する第1の加工溝形成工程と、 前記分割予定ラインに沿って前記一対の第1の加工溝の内側の前記機能層に第2のレーザー光線を照射し、前記一対の第1の加工溝と離間するように前記基板の表面が露出する深さの第2の加工溝を形成することで前記一対の第1の加工溝と前記第2の加工溝との間を分断する一対の凸部を形成する凸部形成工程と、 前記第2の加工溝が形成された前記分割予定ラインに沿って前記ワークを前記切削ブレードにより切削する切削工程と、 を含むことを特徴とする切削方法。

IPC (1件)：

H01L 21/301

FI (3件)：

H01L21/78 Q ,  H01L21/78 B ,  H01L21/78 F