特許
J-GLOBAL ID：201103087588407561
半導体集積回路装置の加熱処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外3名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-247525
公開番号（公開出願番号）：特開平3-108716
出願日： 1989年09月22日
公開日（公表日）： 1991年05月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板の一主面内の所定領域に不純物を導入する第1の工程と、前記第1の工程で形成された所定領域の不純物の導入面に雰囲気ガスを吹付けると共に前記半導体基板を非導入面側から加熱することにより、前記導入面の温度を前記非導入面の所定温度よりも所定低温に維持しつつ前記半導体基板を加熱する第2の工程とを具備することを特徴とする半導体集積回路装置の加熱処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/265
, H01L 21/324 D 8617-4M
