特許

J-GLOBAL ID：201103087598676005

シリコン結晶化方法とレーザアニール装置

発明者： 工藤 利雄 ,  山崎 和則
出願人/特許権者： 住友重機械工業株式会社
代理人 (3件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄 ,  今村 健一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-257628
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068644
特許番号：特許第3860444号
出願日： 2001年08月28日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】アモルファス層のシリコン膜を結晶化するシリコン結晶化方法であって、 (a)シリコン膜に第1の強度と第1の時間長とを有する第1のパルスレーザ光を照射して、前記シリコン膜を溶融する工程と、 (b)溶融後、冷却途中の前記シリコン膜に第1の強度より低い第2の強度と第2の時間長とを有する第2のパルスレーザ光を照射して、発生したシリコン結晶粒を完全には溶融せず、結晶粒を成長させる工程と、 (c)照射領域を部分的にずらして前記工程(a)と前記工程(b)とを繰り返し、結晶化領域を拡大する工程と、 を含み、前記第1および第2のパルスレーザ光は共に複数のレーザダイオード励起固体レーザからの波長400nm〜900nmのレーザ光を加算したものであるシリコン結晶化方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  H01L 21/268 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 J