特許
J-GLOBAL ID:201103087709149905

交流用スイッチングデバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-035925
公開番号(公開出願番号):特開2000-299634
特許番号:特許第4040229号
出願日: 2000年02月14日
公開日(公表日): 2000年10月24日
請求項(抜粋):
【請求項1】 交流電力の供給経路に使用可能で、前記交流電力のみで駆動され、異常電流の発生が検知された場合には、交流電力供給経路を遮断出来る交流用半導体ヒューズに用いるためのスイッチングデバイスであって、 前記交流電力を供給する交流電源の非接地側に接続される第1主電極、前記第1主電極に対向した第2主電極、前記交流用半導体ヒューズのスイッチ投入時において、第1の抵抗を介して接地され、前記第1及び第2主電極を流れる主電流を制御する第1制御電極とを有し、前記第1主電極にカソード領域を、前記第2主電極にアノード領域が接続される第1寄生ダイオードを内在するpチャネル型の第1主半導体素子と、 前記第2主電極に接続される第3主電極、前記第3主電極に対向し負荷に接続される第4主電極、前記交流用半導体ヒューズのスイッチ投入時において、第2の抵抗を介して前記第1制御電極と同時に接地され、前記第3及び第4主電極を流れる主電流を制御する第2制御電極とを有し、前記第3主電極にアノード領域を、前記第4主電極にカソード領域が接続される第2寄生ダイオードを内在するnチャネル型の第2主半導体素子と、 前記第1主電極、第1制御電極にそれぞれ接続された第5主電極、第3制御電極と、第6主電極とを有する第1基準半導体素子と、 前記第3主電極、第2制御電極にそれぞれ接続された第7主電極、第4制御電極と、第8主電極とを有する第2基準半導体素子と、 前記第2及び第6主電極間の電圧を比較する第1の比較器と、 前記第4及び第8主電極間の電圧を比較する第2の比較器 とを備え、前記第2主電極の電位が、前記第6主電極の電位を下回ったときに、前記第1主半導体素子をオフ動作及び該オフ動作から始まるオン/オフの繰り返し動作をさせ、 前記第4主電極の電位が、前記第8主電極の電位を上回ったときに、前記第2主半導体素子をオフ動作及び該オフ動作から始まるオン/オフの繰り返し動作をさせることを特徴とする交流用スイッチングデバイス。
IPC (7件):
H03K 17/687 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H02H 3/08 ( 200 6.01) ,  H02H 3/087 ( 200 6.01) ,  H02H 7/20 ( 200 6.01) ,  H03K 17/08 ( 200 6.01)
FI (7件):
H03K 17/687 A ,  H01L 29/78 657 G ,  H01L 29/78 657 A ,  H02H 3/08 T ,  H02H 3/087 ,  H02H 7/20 F ,  H03K 17/08 C
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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