特許
J-GLOBAL ID:201103087810415861

ペニシリン結晶及びその製造法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (9件): 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  小原 健志 ,  中川 博司 ,  舘 泰光 ,  斎藤 健治 ,  藤井 淳 ,  関 仁士 ,  中野 睦子
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-244288
公開番号(公開出願番号):特開2002-053581
特許番号:特許第3743822号
出願日: 2000年08月11日
公開日(公表日): 2002年02月19日
請求項(抜粋):
【請求項1】 モノクロメーターを通したλ=1.5418Åの銅放射線で得られるX線粉末回折パターンで下記格子面間隔にピークを有する2-メチル-2-トリアゾリルメチルペナム-3-カルボン酸ジフェニルメチルエステル結晶の製造方法であって、式 〔式中、Phはフェニル基を示す。〕 で表される2-メチル-2-トリアゾリルメチルペナム-3-カルボン酸ジフェニルメチルエステルを含む溶液を濃縮し、濃縮液を酢酸エステル類で希釈し、この希釈液をヘキサン類又はヘキサン類と酢酸エステル類とを含む溶媒と混合して、2-メチル-2-トリアゾリルメチルペナム-3-カルボン酸ジフェニルメチルエステルを晶析させる方法。 d(格子面間隔) 9.026〜9.977 7.192〜7.949 6.056〜6.694 4.810〜5.317 4.662〜5.153 4.509〜4.984 4.193〜4.635 4.120〜4.554 4.043〜4.447 3.801〜4.201 3.602〜3.981 3.421〜3.781 3.031〜3.350
IPC (1件):
C07D 499/00 ( 200 6.01)
FI (1件):
C07D 499/00
引用特許:
審査官引用 (5件)
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