特許
J-GLOBAL ID：201103087845316807
位相シフトマスク,位相シフトマスクの製造方法,及び位相シフトマスクを用いた半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-330692
公開番号（公開出願番号）：特開平3-191347
特許番号：特許第2897299号
出願日： 1989年12月20日
公開日（公表日）： 1991年08月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】遮光部と、光透過部と、位相シフト膜とを備えた位相シフトマスクにおいて、位相シフト膜を形成すべき遮光部には、該遮光部の外縁の全周に沿って、露光光の位相をシフトさせる位相シフト膜を設けるとともに、該位相シフト膜は、シラノール基の形でシリコンを含み、溶剤に溶かすことによって、塗布可能になっている塗布ガラスから形成されてなるものであることを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
