特許
J-GLOBAL ID：201103087982536997
4-デメトキシダウノマイシノンの製造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
特許業務法人小田島特許事務所
, 藤井 幸喜
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-053764
公開番号（公開出願番号）：特開2002-255888
特許番号：特許第4688315号
出願日： 2001年02月28日
公開日（公表日）： 2002年09月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】式
で表される4-デメトキシダウノマイシノンの製造方法であって、
a) 式
で表される4-デメチルダウノマイシノンを、式
(R)3SiCl
(Rは、メチルまたはエチルを表す)
と酸捕捉剤の存在下に不活性溶媒中で反応させ、
b) こうして得られる式
で表される4-デメチル-7-トリアルキルシリルダウノマイシノンをトリフルオロメチルスルホン酸ハロゲン化物またはトリフルオロメタンスルホン酸無水物と、必要により、酸捕捉剤の存在下に不活性溶媒中で反応させ、
c) こうして得られる式
で表される4-トリフルオロメチルスルホニル-7-トリアルキルシリルダウノマイシノンを不活性溶媒中でパラジウム触媒還元することを特徴とする4-デメトキシダウノマイシノンの製造方法。
IPC (4件)：
C07C 46/00 ( 200 6.01)
, C07B 53/00 ( 200 6.01)
, C07C 50/38 ( 200 6.01)
, C07F 7/18 ( 200 6.01)
C07C 46/00
, C07B 53/00 G
, C07C 50/38
, C07F 7/18 A
, C07F 7/18 G
, C07F 7/18 Q
