不揮発性メモリ及び不揮発性メモリの記録再生装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：丸山隆夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-294762
公開番号（公開出願番号）：特開2002-109797
特許番号：特許第4157264号
出願日： 2000年09月27日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】2端子の配線形状であり、かつ、少なくともアンチモン(Sb)とテルル(Te)とを含む3種類以上の元素を含有するカルコゲナイド半導体を記録層とし、レーザビーム加熱による相変化によって前記記録層の電気抵抗を部分的に変化させることで情報の記録ドメインとし、かつレーザビームを走査した際に、前記配線形状の記録材料中を流れる電流の変化を検出して記録ドメインを再生する不揮発性メモリにおいて、前記配線形状の配線幅が周期的に変化していることを特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (4件)：

G11B 11/12 ( 200 6.01) , G11B 9/04 ( 200 6.01) , G11B 11/08 ( 200 6.01) , H01L 27/105 ( 200 6.01)

FI (4件)：

G11B 11/12 , G11B 9/04 , G11B 11/08 , H01L 27/10 448

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-187945
特開昭62-246158
相変化型記録媒体及び記録再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-334160 出願人：株式会社リコー

全件表示

前のページに戻る