特許
J-GLOBAL ID：201103088177298288
混晶半導体膜の組成変調構造解析法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
和泉 良彦 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-176500
公開番号（公開出願番号）：特開2001-356102
特許番号：特許第3470087号
出願日： 2000年06月13日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】X線回折法により混晶半導体膜の組成変調構造を解析する方法において、X線の入射角よりも角度の低い出射角の非対称反射の回折強度スペクトルを用いることにより、該回折強度スペクトルのメインピークの半値幅を小さくしてサイドローブをメインピークから分離しやすくし、該サイドローブのピークの間隔または回折強度から、上記組成変調構造の周期または振幅を定量的に評価することを特徴とする混晶半導体膜の組成変調構造解析法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01N 23/207
, H01L 21/66 N
