特許
J-GLOBAL ID：201103088315236841
カーボンナノチューブ形成用CVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
原田 洋平
, 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-031897
公開番号（公開出願番号）：特開2011-168418
出願日： 2010年02月17日
公開日（公表日）： 2011年09月01日
要約：
【課題】基板を連続的に供給した場合でも、基板全体に均質なカーボンナノチューブを生成し得るCVD装置を提供する。【解決手段】炉本体2内に設けられた反応室15にカーボンナノチューブ生成用の金属触媒粒子が付着された基板Kを導くと共にカーボンを含む原料ガスGを供給し加熱する熱CVD法によりカーボンナノチューブを形成し得る加熱炉1を具備するCVD装置であって、反応室15における基板Kの下方を区画壁61により複数の反応空間部15a〜15cに区画すると共に、これら各反応空間部の底壁部32〜34にカーボンを含む原料ガスGを供給し得るガス供給管52〜54をそれぞれ設け、さらにこれらガス供給管から供給する原料ガスの供給量をカーボンナノチューブの成長に応じて増加させるようにしたものである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
炉本体内に設けられた反応室にカーボンナノチューブ生成用の金属触媒粒子が付着された基板を導くとともにカーボンを含む原料ガスを供給し加熱する熱CVD法によりカーボンナノチューブを形成し得る加熱炉を具備するCVD装置であって、
上記反応室における基板の下方を区画壁により複数の空間部に区画するとともに、これら各空間部の底壁部にカーボンを含む原料ガスを供給し得るガス供給口をそれぞれ設け、
さらにこれらガス供給口から供給する原料ガスの供給量をカーボンナノチューブの成長に応じて増加させるようにしたことを特徴とするカーボンナノチューブ形成用CVD装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (20件)：
4G146AA11
, 4G146AB06
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BB23
, 4G146BC09
, 4G146BC23
, 4G146BC27
, 4G146BC42
, 4G146BC44
, 4G146DA03
, 4G146DA22
, 4G146DA26
, 4G146DA27
, 4G146DA28
, 4G146DA29
, 4G146DA37
, 4G146DA43
, 4G146DA47
, 4G146DA48
