特許
J-GLOBAL ID：201103088340927280
バイポーラトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 詔男 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-313771
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150528
特許番号：特許第3223890号
出願日： 1998年11月04日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 コレクタコンタクト層、コレクタ、ベースおよびエミッタが順次積層されてなるバイポーラトランジスタにおいて、前記コレクタは、χ1なる電子親和力を有する第1の半導体からなる第1コレクタとχ2なる電子親和力を有する第2の半導体からなる第2コレクタとが少なくともその一部が前記コレクタコンタクト層に垂直な面で接続してなり、前記第1コレクタにおける伝導帯の第1の極小エネルギーと第2の極小エネルギーの差をΔ1としたとき、χ1>χ2 かつ (χ1-χ2)<Δ1なる関係を満たし、かつ、該第1コレクタの幅が1μm以下であることを特徴とするバイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/205
, H01L 29/73
