特許

J-GLOBAL ID：201103088376588007

半導体装置およびその製造方法

発明者： 上野 浩司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-271475
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093857
特許番号：特許第3429715号
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板の上に間隔をおいて複数の素子を形成した半導体装置において、前記素子の半導体基板の側の不純物導入層とこの不純物導入層の上に層間絶縁膜を介して形成された配線層とを、前記層間絶縁膜に形成したコンタクトホールに接続プラグを充填して接続し、隣接する前記素子の前記コンタクトホールの間には前記層間絶縁膜と半導体基板の間に不純物を導入した素子分離領域を形成し、前記素子分離領域の幅を、前記コンタクトホールを前記層間絶縁膜に加工するときの位置ずれ最大量と素子の電気的分離に必要な最小寸法との和とほぼ等しくするとともに、隣接するコンタクトホールの距離を、前記素子分離領域の幅にほぼ等しくなるように構成した半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/28 L ,  H01L 21/76 D ,  H01L 21/90 C ,  H01L 29/78 301 X