アルミノシリケートの製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-257483
公開番号（公開出願番号）：特開2011-102209
出願日： 2009年11月10日
公開日（公表日）： 2011年05月26日
要約：

【課題】高シリカのCHA構造をもつアルミノシリケートの安価で効率的な製造方法を提供する。【解決手段】N,N,N-トリアルキルベンジルアンモニウムカチオン、Si元素源、アルカリ金属源、Al元素源および水を含む混合物の水熱合成により、CHA結晶構造を有し、Al2O3に対するSiO2のモル比が5以上のアルミノシリケートを製造する方法において、該混合物におけるSi元素に対するN,N,N-トリアルキルベンジルアンモニウムカチオンのモル比が0.005以上、Si元素に対するアルカリ金属のモル比が0.35以上1.0以下、かつSi元素に対する水のモル比が10以上の条件で水熱合成を行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

N,N,N-トリアルキルベンジルアンモニウムカチオン、Si元素源、アルカリ金属源、Al元素源および水を含む混合物の水熱合成により、CHA結晶構造を有し、Al2O3に対するSiO2のモル比が5以上のアルミノシリケートを製造する方法であって、該混合物におけるSi元素に対するN,N,N-トリアルキルベンジルアンモニウムカチオンのモル比が0.005以上、Si元素に対するアルカリ金属のモル比が0.35以上1.0以下、かつSi元素に対する水のモル比が10以上であることを特徴とするアルミノシリケートの製造方法。

IPC (3件)：

C01B 39/48 , C07C 6/04 , C07C 11/06

FI (3件)：

C01B39/48 , C07C6/04 , C07C11/06

Fターム (26件)：

4G073BA02 , 4G073BA04 , 4G073BA63 , 4G073BA69 , 4G073BA75 , 4G073BB48 , 4G073BD21 , 4G073CZ17 , 4G073CZ41 , 4G073FA12 , 4G073FC12 , 4G073FC13 , 4G073FC19 , 4G073GA01 , 4G073GA03 , 4G073UA03 , 4H006AA02 , 4H006AC29 , 4H006BA02 , 4H006BA09 , 4H006BA30 , 4H006BA33 , 4H006BA71 , 4H006BA81 , 4H006DA15 , 4H006DA25

引用特許：

審査官引用 (1件)

N,N,N-トリメチル-ベンジルアンモニウムイオンを用いたチャバザイトの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-109539 出願人：東ソー株式会社

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