GaN系発光素子作成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井宏明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-131403
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313419
特許番号：特許第4413374号
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 GaN系発光素子を気相成長法により薄膜の積層構造として作成するGaN系発光素子作成方法において、薄膜形成基板を所定の温度に加熱し、ガリウム(Ga)と混晶化させる砒素(As)または燐(P)を含む原料を前記Gaに添加する際に、前記薄膜形成基板上にレーザ光を照射することによって前記原料を分解することを特徴とするGaN系発光素子作成方法。

IPC (3件)：