特許

J-GLOBAL ID：201103088761012620

半導体装置の製造方法

発明者： 三浦 正幸 ,  尾山 勝彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 特許業務法人サクラ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-064343
公開番号（公開出願番号）：特開2011-222986
出願日： 2011年03月23日
公開日（公表日）： 2011年11月04日
要約：

【課題】半田接続部に生じる熱応力の緩和効果を維持しつつ、半田接続部の耐疲労性を向上させることを可能にした半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態においては、配線基板2の接続パッド4上にSn合金からなる予備半田層10を形成する。半導体チップ2の電極パッド5上にSn合金からなる半田バンプ13を形成する。予備半田層10と半田バンプ13とを位置合せしつつ接触させた後、予備半田層10及び半田バンプ13の融点以上の温度に加熱して溶融させ、Ag及びCuを含むSn合金からなる半田接続部6を形成する。予備半田層10と半田バンプ13のうち、予備半田層10のみをAgを含むSn合金で形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

配線基板の接続パッド上にSn合金からなる予備半田層を形成する工程と、 半導体チップの電極パッド上にSn合金からなる半田バンプを形成する工程と、 前記予備半田層と前記半田バンプとを位置合せしつつ接触させる工程と、 前記予備半田層及び前記半田バンプの融点以上の温度に加熱して溶融させ、Ag及びCuを含むSn合金からなる半田接続部を形成して、前記配線基板の前記接続パッドと前記半導体チップの前記電極パッドとを接続する工程とを具備し、 前記予備半田層と前記半田バンプのうち、前記予備半田層のみがAgを含むSn合金からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/60

FI (3件)：

H01L21/60 311Q ,  H01L21/92 603B ,  H01L21/92 604H

Fターム (6件)：

5F044KK02 ,  5F044KK13 ,  5F044KK14 ,  5F044LL04 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ04